可行性研究报告/项目建议书
■服务内容
根据国家或相关部门深度及格式要求，编制可研报告，满足项目立项或其他行政审批等需求。
■典型案例
（1）项目案例1
项目名称：12英寸集成电路模拟特色工艺生产线项目（三、四期）
建设单位：广州粤芯半导体技术有限公司
建设地点：广州市黄埔区中新广州知识城
项目总用地面积：285328平方米
生产规模：三期项目重点是工艺平台质量规格的精进，在已有的技术平台基础上打造工业级和车规级模拟特色工艺平台，实现新增月产能4万片，满足目前巨大产能需求的同时提升产品的质量及经济效益；四期项目重点打造更先进的55-28nm高端模拟特色工艺平台，新增月产能4万片，实现高可靠性工业级及车规级芯片的制造能力。三、四期建设全部完成投产后，连同一期、二期产能将实现月产近12万片12英寸晶圆的高端模拟芯片制造产能规模，其中工业级和车规级芯片生产能力占比约为40%，实现在TMOS/SGT、MS、BCD、eNVM、CIS等多个工艺平台上，量产应用于电力电子，伺服器/5G基站及汽车电子的功率器件芯片、信号链芯片、电源管理芯片、微控制器芯片及图像传感器等多种产品。
（2）项目案例2
项目名称：12英寸显示驱动高端定制晶圆生产线项目
建设单位：珠海横琴方瑞联合半导体有限责任公司
建设地点：珠海市横琴新区（横琴岛）
项目总用地面积：约350亩
生产规模：加工12英寸晶圆3万片/月。本项目专注于打造高端显示屏驱动芯片之专业晶圆代工生产线，以国内高端显示面板供应链为主要服务对象、并以28nm、40nm、55nm之高压制程（28V – 32V）为主要工艺产品，应用于中小尺寸手机用FHD解析度之OLED屏之驱动芯片、及TDDI整合型芯片。此外，28nm、40nm、55nm节点之工艺亦可应用于笔记本电脑与LCD显示器之T-CON芯片（Timing Controller，时序控制芯片）及智能手机用高端CMOS影像传感器（CIS）。
（3）项目案例3
项目名称：面向新能源汽车及相关应用领域碳化硅晶圆芯片制造项目
建设单位：广东芯粤能半导体有限公司
建设地点：广州市南沙区
项目总用地面积：100000 平方米，约150亩。
生产规模：一阶段——年产24万片6英寸碳化硅晶圆芯片；二阶段——年产24万片8英寸碳化硅晶圆芯片。本项目产品为碳化硅（SiC）晶圆芯片，主要产品尺寸为6英寸和8英寸。产品定位为汽车电子级，工业级和消费级。主要目标市场新能源汽车，工业电网，太阳能领域。
（4）项目案例4
项目名称：屹唐半导体集成电路装备研发制造服务中心项目
建设单位：北京屹唐半导体科技有限公司
建设地点：北京经济技术开发区
项目总用地面积：39596.7平方米，约合59.4亩。
生产规模：本项目拟建设干法刻蚀设备、去胶设备、快速退火设备和毫秒级快速退火设备组装及测试生产线，所生产的设备主要为全球12英寸晶圆厂客户提供设备及技术支持，设备产能为300台/年。
■通过国家级审核的重大项目
